EPFL的微工程研究所创下了薄膜硅太阳能电池的世界效率新纪录，达到了惊人的10.7％。与以前的10.1％的记录相比，这是效率的显着提高。新型单结微晶硅太阳能电池的记录已由弗劳恩霍夫太阳能系统研究所独立验证。
IMT纳沙泰尔大学的博士生SimonHänni说：“近几年来，在材料质量，高效的光阱和电池设计上获得了深刻的理解，再加上精心的工艺优化，使得这种效率达到了世界纪录。”
令人印象深刻的是，太阳能电池仅由2微米的光伏活性材料组成，这是一个显着的优势，可以轻松地将其集成到更大的模块中。基于晶片的标准晶体硅光伏技术目前使用吸收层-“厚度约为180微米，模块转换效率为15％至20％，此处仅用1.8微米的硅材料即可达到10.7％的效率，即材料减少了100倍电池制造温度从未超过200°C，” Ecole PolytechniqueFédéralede Lausanne写道。
使用相当少的材料将大大降低组件的成本和重量。报道的进展对于进一步提高TF-Si PV器件的效率和潜力至关重要，因为至少有系统地组合使用了一个微晶硅结它具有无定形硅结，可形成多个结器件，以更广泛地利用太阳光谱。洛桑联邦理工学院补充说。“所记录的效率记录清楚地表明，TF-Si多结器件的潜力可以通过低成本，最少地使用丰富而无毒的原材料而扩展到大于13.5％的转换效率。”
该公告紧随薄膜太阳能行业其他令人振奋的发展之后，包括宣布新薄膜太阳能的售价低于新墨西哥州的煤电。
图片来源：©PVLab / EPFL
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