当我想到太阳能效率记录时,有几家公司和机构脱颖而出。NREL,Sharp,SunPower,First Solar,Fraunhofer和Panasonic是我想到的关键产品。松下通过开发晶体硅基太阳能电池类别中另一个创纪录的太阳能电池,来实现其效率提高的历史。该公司正在登上领奖台吗?本身。以下是《太阳之恋》的另一篇转贴:
松下拥有打破太阳能效率记录的悠久历史。该公司最近宣布再次打破效率记录。
松下指出,其HIT太阳能电池的转换效率达到了25.6%,创下了新的世界纪录,并且“比以前的晶体硅基太阳能电池世界纪录大大提高”。
值得注意的是,以前的记录也是由松下创造的。早在2013年2月,我们宣布公司的HIT太阳能电池的效率达到了24.7%。
“通过进一步开发松下专有的异质结技术,实现该新记录的成就,该技术可实现公司HIT太阳能电池的高转换效率和出色的高温特性,并采用带有电极的背接触式太阳能电池结构在太阳能电池的背面,可以更有效地利用太阳光。”还有更多:
记录转换效率背后的核心技术概述
1.减少重组损失HIT技术的一个关键特性是能够通过在单晶硅基板表面上层压高质量非晶硅层来减少电荷载流子(由光产生的电粒子)的重组损失。产生。通过利用该技术在单晶衬底上形成高质量的非晶硅膜,同时最大程度地减小对衬底表面的损坏,可以实现每摄氏度-0.25%的高温系数,该温度系数能够保持即使在高开路电压(Voc)和高温下也具有很高的转换效率。
2.减少光损耗为了增加太阳能电池中的电流,必须将到达电池表面的阳光引导至单晶硅基板,该单晶硅基板是产生功率且损耗较小的层。将电极放在背面作为背面触点,可以使光更有效地到达基板。与Panasonic先前的39.5mA / cm2(转换效率为24.7%的电池)相比,这使短路电流密度(Jsc)显着提高到41.8mA / cm2。
3.使电阻损失最小化在太阳能电池中,所产生的电流会累积在表面栅格电极中并向外输出。以前,通过平衡格栅电极的厚度(变薄格栅电极以减少被阻挡的光量)和减少电阻损耗来优化受光侧的格栅电极,但是将电极置于反面另一方面,减小电流馈入栅极时的电阻损失变得可能。另外,即使在实际的单元尺寸下,通过改善非晶硅层中的电阻损耗,也实现了0.827的高填充因子(FF)* 13。
当然,松下还没有完成。它也打算有朝一日打破这一记录。
图片来源:松下
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