根据最近的新闻发布，研究公司Imec最近获得了22.02％的大面积工业晶体硅n-PERT（钝化发射极，背面完全扩散）太阳能电池的新转换效率记录。
在ISE CalLab上进行校准的新效率纪录，是迄今为止这种类型的2面接触太阳能电池在工业大面积晶圆尺寸上实现的最高效率。
所述太阳能电池是通过6英寸市售n型Cz-Si晶片制造的，在许多参数上都比以前的设计有显着改进-使这种类型的大规模商业用途更加紧密。
考虑到n型太阳能电池相对于p型硅太阳能电池的固有优势，n型电池不会受到光诱导降解的相同程度的影响，并且它们对常见金属杂质的耐受性也更高。由于这些特性，n型电池被许多人认为是有前途的技术。
imec n-PERT技术平台经理Filip Duerinckx表示：“我们的新进展进一步提高了转换效率，进一步证实了n型PERT电池在下一代高效硅太阳能电池中的潜力。“这项新的效率记录已经实现，同时还简化了流程，仅依靠简化的清洗，而无需任何昂贵的成型气体退火（FGA）。我们致力于进一步提高这种电池概念的效率，并增加该技术的工业价值。这将使该技术在短期内推向市场。”
以下是一些技术细节：
为了提高使用先进工业工艺的大面积n-PERT硅电池的转换效率，imec进一步提高了其n-PERT太阳能电池的转换效率，达到了创纪录的22％，具有开路电压（ Voc）为684mV，短路电流（Jsc）为39.9 mA / cm2，填充系数（FF）为80.7％。通过激光掺杂引入选择性的前表面场，可以提高效率，从而提高开路电压和短路电流。
Imec的n-PERT硅太阳能电池具有Ni / Cu / Ag前触点（使用Meco的工业电镀工具进行涂覆），以及通过激光烧蚀后钝化叠层和随后的金属化获得的后局部触点。后部钝化层包括一层薄的（<10 nm）原子层沉积（ALD）Al2O3层，该层是用SoLayTec的空间ALD技术InPassionLab®沉积的。扩散的前场（FSF）和后发射器以及抗反射涂层（ARC）用于Tempress批式炉中。
当然，另一个有希望的发展是，但是技术上的改进和经济上的部署是两个截然不同的事情。在证明这种方法在商业上是经济的之前，它当然不会引起技术上的好奇。
图片来源：易美克
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